目今，随着半导体技术不绝微缩，先进的集成电路器件已从平面向三维结构转变，集成电路制造工艺正变得越来越庞大，往往需要经过几百甚至上千道的工艺办法。关于先进的半导体器件制造，每经过一道工艺，硅片外貌都会或多或少的保存颗粒污染物、金属残留或有机物残留等，器件特征尺寸的不绝缩小和三维器件结构的日益庞大性，使得半导体器件对颗粒污染、杂质浓度和数量越来越敏感。

　　对硅晶元上掩模外貌的污染微粒的清洗技术提出了更高的要求，其要害点在于克服污染微颗粒与基材之间极大的吸附力，目前许大都导体厂家的清洗方法都是酸洗、人工擦拭，效率慢不说，还会爆发二次污染。那目前什么样的清洗方法比较适合在半导体产品上的清洗呢?激光清洗是目前来说比较合适的一种方法，当激光扫描已往，质料外貌的污垢都被清除，并且关于漏洞中的污垢都可以轻松得去除，不会刮花质料外貌，也不会爆发二次污染，是一种定心的选择。

　　另外，随着集成电路器件尺寸连续缩小，清洗工艺历程中的质料损失和外貌粗糙度成为必须关注的问题，将微粒去除而又没有质料损失和图形损伤是最基本的要求，激光清洗技术具有非接触性、无研磨的特性，不会对基材外貌爆发损伤，不会爆发二次污染，是解决半导体器件污染最佳的清洗要领。